OPT101 Lichtsensor Modul


OPT101 Lichtsensor linear VIS IR Photodiode 300nm-1100nm 2,7-36V Sensor Modul

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EAN Code N/A Artikelnummer: 283561863834-OPT101-Sensor Kategorie: Schlagwörter: , , , , , , , , ,


OPT101 Lichtsensor linear VIS IR Photodiode 300nm-1100nm 2,7-36V Sensor Modul

OPT101 VIS IR Photodiode Module Set compl. © androegg

OPT101 VIS IR Photodiode Module Set compl.

OPT101 VIS IR Photodiode Break Out Board © androegg

OPT101 VIS IR Photodiode DIP8 package © androegg

Das OPT101 Lichtsensor Modul beinhaltet

  • 1 Stück OPT101 Break Out Modul
  • 1 Stück OPT101 Fotodiode
  • 1 Stück Pinleiste 6-polig


Der OPT101 ist eine großflächige Fotodiode mit integriertem Operationsverstärker. Bedingt durch die große, aktive Fläche erreicht der OPT101 eine hohe Selektivität und eignet sich für hochempfindliche Mesungen.

Der OPT101 verfügt über eine große spektrale Empfindlichkeit angefangen von 300 bis 1100 nm (λ = 650 nm).

Der OPT101 erlaubt Versorgungsspannungen von 2,7 – 36V und eignet sich somit für ein breites Anwendungsspektrum.

Die Signalausgabe des OPT101 erfolgt analog (Fotodiodenstrom zuzüglich einer Sockelspannung von 7,5mV). Ohne Lichteinfall beträgt die Ausgangsspannung 7,5 mV und steigt nahezu linear mit ansteigendem Lichtstrom an.



Der Referenzwert für die Empfindlichkeit (RI) beträgt bei 650nm 0,45 A/W. Neben dem direkten analogen Ausgang verfügt der OPT101 zusätzlich über einen integrierten, mittels Laser getrimmten 1MΩ Widerstand. Unter Verwendung des 1M Ausgangs beträgt der Referenzwert bei 650nm 0,45V/µW.




OPT101 Photodiode Sensor Module incl.

  • 1 pcs. OPT101 DIP8 Break Out Module
  • 1 pcs. OPT101 Photodiode
  • 1 pcs. Pinheader 6 Pins


The OPT101 is a large-area photodiode integrated with an optimized operational amplifier that makes the OPT101 a small, easy-to-use, light-to-voltage device. The photodiode has a very large measurement area that collects a significant amount of light, and thus allows for high-sensitivity measurements.

The photodiode has a wide spectral response with a maximum peak in the infrared spectrum, and a useable range from 300 nm to 1100 nm.

The wide power-supply range of 2.7 V to 36 V makes this device useful in a variety of architectures; from all-analog circuits to data conversion base circuits. The on-chip voltage source keeps the amplifier in a good operating region, even at low light levels.



The OPT101 voltage output is the product of the photodiode current times the feedback resistor, (IDRF), plus a pedestal voltage, VB, of approximately 7.5 mV introduced for single-supply operation. Output is 7.5 mV dc with no light, and increases with increasing illumination. Photodiode current, ID, is proportional to the radiant power, or flux, (in watts) falling on the photodiode. At a wavelength of 650 nm (visible red) the photodiode responsivity, RI, is approximately 0.45 A/W. Responsivity at other wavelengths is shown in Figure 1. The internal feedback resistor is laser trimmed to 1 MΩ. Using this resistor, the output voltage responsivity, RV, is approximately 0.45 V/μW at 650-nm wavelength.

OPT101 Photodiode Module Features:

  • Break Out Board 2.54 mm incl.
    • OPT101 Photodiode
    • Pinheader
  • Working Voltage 2.7V – 36V
  • active area 2.29 × 2.29 mm (0.090 × 0.090 inch)
  • Internal 1-MΩ Feedback Resistor
  • High Responsivity: 0.45 A/W (650 nm)
      • Photodiode current 0.45 A/W
      • Voltage output 0.45 V/μW
      • Voltage output vs temperature 100 ppm/°C
      • Unit-to-unit variation ±5%
      • Nonlinearity Full-scale (FS) output = 24 V ±0.01 % of FS
      • Offset voltage, output 5 (min.) 7.5 (typ.) 10 (max.) mV
      • Offset voltage vs temperature ±10 μV/°C
      • Offset voltage vs power supply
        VS =2.7Vto36V 10 (typ.) 100 (max.) μV/V
      • Voltage noise, dark
        fB =0.1Hzto20kHz,VS =15V,
        VPIN3 = –15 V
        300 μVrms (typ.)
      • Resistor 1 MΩ
      • Tolerance ±0.5% (typ.) ±2% (max.)
      • Tolerance vs temperature ±50 ppm/°C
  • Bandwidth: 14 kHz at RF = 1 MΩ
      • Bandwidth VOUT = 10 VPP 14 kHz (typ.)
      • Rise and fall time
        10% to 90%, VOUT = 10-V step
        28 μs (typ.)
      • Settling time
          • to 0.05%, VOUT = 10-V step 160 μs (typ.)
          • to 0.1%, VOUT = 10-V step 80 μs (typ.)
          • to 1%, VOUT = 10-V step 70 μs (typ.)
          • Overload recovery
            100%, return to linear operation 50 μs (typ.)
    • OUTPUT
      • Voltage output, high (VS) – 1.3 (VS) – 1.15 V (typ.)
      • Capacitive load, stable operation 10 nF (typ.)
      • Short-circuit current VS = 36 V 15 mA (typ.)
  • Low Quiescent Current: 120 μA




Zusätzliche Informationen